Investigation of behavior and potentialities ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Investigation of behavior and potentialities in high frequency range of metallic source/drain architecture for advanced MOSFET transistors
Auteur(s) :
Valentin, R. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2008
Langue :
Anglais
Audience :
Non spécifiée
Source :