Towards high performance E-mode InAlN/GaN HEMTs
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Towards high performance E-mode InAlN/GaN HEMTs
Author(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur]
Alomari, M. [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Py, M.A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Alomari, M. [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Gonschorek, M. [Auteur]
Feltin, E. [Auteur]
Py, M.A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Conference title :
32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008
Country :
Belgique
Start date of the conference :
2008
Book title :
Proceedings of the 32nd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2008
Publisher :
_
Publication date :
2008
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :