AlSb/InAs HEMTs on InP substrate using wet ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICIPRM.2008.4702979
Title :
AlSb/InAs HEMTs on InP substrate using wet and dry etching for mesa isolation
Author(s) :
Olivier, A. [Auteur]
Gehin, T. [Auteur]
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur] refId
Dambrine, Gilles [Auteur] refId
Cappy, Alain [Auteur] refId
Bollaert, Sylvain [Auteur] refId
Lefebvre, E. [Auteur]
Malmkvist, M. [Auteur]
Grahn, J. [Auteur]
Conference title :
IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Country :
France
Start date of the conference :
2008
Book title :
Proceedings of the IEEE 20th Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM'08
Publisher :
_
Publication date :
2008
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL