Status of the emerging InAlN/GaN power ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Status of the emerging InAlN/GaN power HEMT technology
Auteur(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur]
Carlin, J.F. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]

Carlin, J.F. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandjean, N. [Auteur]
Kohn, E. [Auteur]
Titre de la revue :
Open Electrical and Electronic Engineering Journal
Pagination :
1-7
Éditeur :
Bentham Open
Date de publication :
2008
ISSN :
1874-1290
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
- http://benthamopen.com/contents/pdf/TOEEJ/TOEEJ-2-1.pdf
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