HIGH-FREQUENCY NOISE AND DIFFUSION-COEFFICIENT ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
HIGH-FREQUENCY NOISE AND DIFFUSION-COEFFICIENT OF HOT-ELECTRONS IN BULK AL0.25GA0.75AS
Author(s) :
Demurcia, M. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Richard, E. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Gasquet, D. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Dubuc, J. [Auteur]
Vanbremeersch, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zimmermann, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Richard, E. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Gasquet, D. [Auteur]
Centre d'Electronique et de Micro-optoélectronique de Montpellier [CEM2]
Dubuc, J. [Auteur]
Vanbremeersch, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zimmermann, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Solid-State Electronics
Pages :
1477-1483
Publisher :
Elsevier
Publication date :
1994-08
ISSN :
0038-1101
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
English abstract : [en]
We present experimental results of hot electron noise in Si doped Al0.25Ga0.75As test structures using pulsed high-frequency noise measurements. Noise temperature and longitudinal diffusion coefficient as functions of field ...
Show more >We present experimental results of hot electron noise in Si doped Al0.25Ga0.75As test structures using pulsed high-frequency noise measurements. Noise temperature and longitudinal diffusion coefficient as functions of field strength are compared with those of Si doped GaAs. We find significant changes at high fields. Results are discussed in regard of electron scattering mechanisms.Show less >
Show more >We present experimental results of hot electron noise in Si doped Al0.25Ga0.75As test structures using pulsed high-frequency noise measurements. Noise temperature and longitudinal diffusion coefficient as functions of field strength are compared with those of Si doped GaAs. We find significant changes at high fields. Results are discussed in regard of electron scattering mechanisms.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
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