Potentialités de la technologie CMOS 65nm ...
Document type :
Thèse
Title :
Potentialités de la technologie CMOS 65nm SOI pour des applications sans fils en bande millimétrique
English title :
65nm CMOS SOI potentialities for millimeter wave wireless applications
Author(s) :
Martineau, Baudouin [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Thesis director(s) :
François Danneville
Defence date :
2008-05-16
Jury president :
Alain CAPPY (Président)
François Danneville (Directeur de thèse)
Andreia Cathelin (tuteur industriel)
Yann Deval (rapporteur)
Thierry PARRA (Rapporteur)
Ali NIKNEJAD (Examinateur)
Christine RAYNAUD (Examinateur)
Andreas KAISER (Examinateur)
François Danneville (Directeur de thèse)
Andreia Cathelin (tuteur industriel)
Yann Deval (rapporteur)
Thierry PARRA (Rapporteur)
Ali NIKNEJAD (Examinateur)
Christine RAYNAUD (Examinateur)
Andreas KAISER (Examinateur)
Jury member(s) :
Alain CAPPY (Président)
François Danneville (Directeur de thèse)
Andreia Cathelin (tuteur industriel)
Yann Deval (rapporteur)
Thierry PARRA (Rapporteur)
Ali NIKNEJAD (Examinateur)
Christine RAYNAUD (Examinateur)
Andreas KAISER (Examinateur)
François Danneville (Directeur de thèse)
Andreia Cathelin (tuteur industriel)
Yann Deval (rapporteur)
Thierry PARRA (Rapporteur)
Ali NIKNEJAD (Examinateur)
Christine RAYNAUD (Examinateur)
Andreas KAISER (Examinateur)
Accredited body :
Université des Sciences et Technologie de Lille - Lille I
Doctoral school :
Electronique, Electrotechnique, Automatique, Télécommunications, Signal
Keyword(s) :
CMOS
65nm
SOI
millimetrique
millimeter wave
mm-wave
60GHz
77GHz
ligne de transmission
coplanaire
CMOS SOI
65nm
SOI
millimetrique
millimeter wave
mm-wave
60GHz
77GHz
ligne de transmission
coplanaire
CMOS SOI
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
French abstract :
Dans le cadre des nouvelles applications dans la bande de fréquence millimétrique, une évaluation de la technologie CMOS 65nm SOI pour la conception de circuits est proposée. Cette évaluation s'articule autour de deux axes ...
Show more >Dans le cadre des nouvelles applications dans la bande de fréquence millimétrique, une évaluation de la technologie CMOS 65nm SOI pour la conception de circuits est proposée. Cette évaluation s'articule autour de deux axes principaux. Tout d'abord les composants actifs et passifs spécifiques à la technologie font l'objet d'une étude en terme de performances et de modélisations. Ensuite la technologie est évaluée au travers l'exemple de circuits composant une chaîne de réceptionShow less >
Show more >Dans le cadre des nouvelles applications dans la bande de fréquence millimétrique, une évaluation de la technologie CMOS 65nm SOI pour la conception de circuits est proposée. Cette évaluation s'articule autour de deux axes principaux. Tout d'abord les composants actifs et passifs spécifiques à la technologie font l'objet d'une étude en terme de performances et de modélisations. Ensuite la technologie est évaluée au travers l'exemple de circuits composant une chaîne de réceptionShow less >
English abstract : [en]
As the 65nm CMOS SOI technology was not initially developed for millimeter wave design, this work demonstrates the advantages of using this technology for applications at such high frequencies. The demonstration is focused ...
Show more >As the 65nm CMOS SOI technology was not initially developed for millimeter wave design, this work demonstrates the advantages of using this technology for applications at such high frequencies. The demonstration is focused on two parts. First active and passive devices are studied in order to evaluate the potentiality for low noise and high gain performances at millimeter frequencies. Different figures of merit are introduced for both actives and passives. Characterization and modeling techniques improvement are developed in this work. In a second part, reception millimeter wave building blocks are developed such as low noise amplifiers and mixers.Show less >
Show more >As the 65nm CMOS SOI technology was not initially developed for millimeter wave design, this work demonstrates the advantages of using this technology for applications at such high frequencies. The demonstration is focused on two parts. First active and passive devices are studied in order to evaluate the potentiality for low noise and high gain performances at millimeter frequencies. Different figures of merit are introduced for both actives and passives. Characterization and modeling techniques improvement are developed in this work. In a second part, reception millimeter wave building blocks are developed such as low noise amplifiers and mixers.Show less >
Language :
Anglais
Source :
Files
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