Low temperature implementation of ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Low temperature implementation of dopant-segregated band-edge metallic S/D junctions in thin-body SOI p-MOSFETs
Auteur(s) :
Larrieu, G. [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Valentin, R. [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Pesant, J.C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Valentin, R. [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Pesant, J.C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2007
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2007
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 2007 IEEE International Electron Devices Meeting, IEDM 2007
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2007
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :