Low frequency noise in InAlAs/InGaAs ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Low frequency noise in InAlAs/InGaAs modulation doped field effect transistors with 50-nm gate length
Auteur(s) :
Levinshtein, M.E. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Rumyantsev, S.L. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Tauk, R. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Boubanga, S. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Shchepetov, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Shur, M.S. [Auteur]
Rensselaer Polytechnic Institute [RPI]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Rumyantsev, S.L. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Tauk, R. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Boubanga, S. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Dyakonova, N. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Knap, W. [Auteur]
Groupe d'étude des semiconducteurs [GES]
Shchepetov, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Roelens, Yannick [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Shur, M.S. [Auteur]
Rensselaer Polytechnic Institute [RPI]
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics
Pagination :
064506
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2007
ISSN :
0021-8979
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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