Titre :

A 360 degrees BST phase shifter with moderate bias voltage at 30 GHz

Auteur(s) :

Vélu, Gabriel [Auteur]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Blary, Karine [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Burgnies, Ludovic [Auteur]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Marteau, Aurélien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Houzet, Gregory [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]
Lippens, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carru, Jean-Claude [Auteur]
Laboratoire d'Etude des Matériaux et des Composants pour l'Electronique [LEMCEL]

Titre de la revue :

IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques

Pagination :

438-444

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2007

ISSN :

0018-9480

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Voltage
Dielectric losses
Phase shifters
Binary search trees
Ferroelectric materials
Millimeter wave technology
Frequency
Dielectric thin films
Propagation losses
Capacitance

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

Paraelectric BaSrTiO 3 films deposited by sol-gel have been investigated from 1 kHz to 40 GHz using coplanar waveguides, resonators, and inter-digitated capacitances. At room temperature and without bias, the dielectric ...
Lire la suite >Paraelectric BaSrTiO 3 films deposited by sol-gel have been investigated from 1 kHz to 40 GHz using coplanar waveguides, resonators, and inter-digitated capacitances. At room temperature and without bias, the dielectric constant epsiv r is around 300 and the loss tangent is 5times10 -2 . Tunability is 40% for a 40-V bias voltage. Analog phase-shifter circuits were subsequently fabricated in order to obtain a 360deg phase shift in the Ka-band with a moderate bias voltage. The lowest bias value was 17 V at 40 GHz, whereas 40 V were necessary at 30 GHz. For the latter condition, the insertion loss was -6dB. The best figure-of-merit of the phase shifters with a loading factor of 1.4 was 27deg/dB. These results show an improvement in terms of voltage-controlled tunabilityLire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL