Title :

Electron energy loss spectroscopy determination of Ti oxidation state at the (001) LaAlO3/SrTiO3 interface as a function of LaAlO3 growth conditions

Author(s) :

Maurice, Jean-Luc [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Herranz, Gervasi [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Colliex, Christian [Auteur]
Laboratoire de Physique des Solides [LPS]
Devos, Isabelle [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Carrétéro, Cécile [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Barthelemy, Agnès [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Bouzehouane, Karim [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Fusil, Stéphane [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Imhoff, Dominique [Auteur]
Laboratoire de Physique des Solides [LPS]
Jacquet, Éric [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)
Jomard, François [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
Ballutaud, Dominique [Auteur]
Groupe d'Etude de la Matière Condensée [GEMAC]
Basletic, Mario [Auteur]
Laboratoire Albert Fert (ex-UMPhy Unité mixte de physique CNRS/Thales)

Journal title :

EPL - Europhysics Letters

Pages :

17003

Publisher :

European Physical Society / EDP Sciences / Società Italiana di Fisica / IOP Publishing

Publication date :

2008-04

ISSN :

0295-5075

English keyword(s) :

Electron energy loss spectroscopy
Electron states at surfaces and interfaces
Electrical properties of specific thin films: insulators

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

English abstract : [en]

At the (001) interface between the two band-insulators LaAlO3 and SrTiO3, a high-mobility electron gas may appear, which has been the object of numerous works over the last four years. Its origin is a subject of debate ...
Show more >At the (001) interface between the two band-insulators LaAlO3 and SrTiO3, a high-mobility electron gas may appear, which has been the object of numerous works over the last four years. Its origin is a subject of debate between the interface polarity and unintended doping. Here we use electron energy loss 'spectrum images', recorded in cross-section in a scanning transmission electron microscope, to analyse the Ti3+ ratio, characteristic of extra electrons. We find an interface concentration of Ti3+ that depends on growth conditions.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Comment :

6 pages

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL