High power GaN MESFET's on sapphire substrate
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
High power GaN MESFET's on sapphire substrate
Author(s) :
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Trassaert, S. [Auteur]
Boudart, B. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Crosnier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Trassaert, S. [Auteur]
Boudart, B. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Crosnier, Y. [Auteur]
Journal title :
IEEE Microwave and Guided Wave Letters
Pages :
19-20
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Publication date :
2000
ISSN :
1051-8207
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :