High power GaN MESFET's on sapphire substrate
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
High power GaN MESFET's on sapphire substrate
Auteur(s) :
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Trassaert, S. [Auteur]
Boudart, B. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Crosnier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Trassaert, S. [Auteur]
Boudart, B. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Crosnier, Y. [Auteur]
Titre de la revue :
IEEE Microwave and Guided Wave Letters
Pagination :
19-20
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Date de publication :
2000
ISSN :
1051-8207
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :