3-Dimensional process simulation of thermal ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
3-Dimensional process simulation of thermal annealing of low dose implanted dopants in silicon
Auteur(s) :
Senez, V. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Herbaux, J. [Auteur]
Hoffmann, T. [Auteur]
Lampin, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Herbaux, J. [Auteur]
Hoffmann, T. [Auteur]
Lampin, E. [Auteur]
Titre de la revue :
IEICE Transactions on Electronics
Pagination :
1267-1274
Éditeur :
Institute of Electronics, Information and Communication Engineers
Date de publication :
2000
ISSN :
0916-8524
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :