Charge control and electron transport ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Charge control and electron transport properties in InyAl1-yAs/InxGa1-xAs metamorphic HEMTs : effect of indium content
Auteur(s) :
Cordier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2000
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 12th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2000
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2000
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :