Design and realization of sub-100 nm gate ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Design and realization of sub-100 nm gate length HEMTs
Auteur(s) :
Parenty, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Mateos-Lopez, J. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Mateos-Lopez, J. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
10th European Workshop on Heterostructure Technology, heTech'00
Ville :
Günzburg
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2000-09-17
Date de publication :
2000
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :