11% efficiency 100 GHz InP-based heterostructure ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
11% efficiency 100 GHz InP-based heterostructure barrier varactor quintupler
Auteur(s) :
Bryllert, T. [Auteur]
Skane University Hospital [Lund]
Olsen, A. [Auteur]
Vukusic, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Emadi, T.A. [Auteur]
Ingvarson, M. [Auteur]
Stake, J. [Auteur]
Lippens, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Skane University Hospital [Lund]
Olsen, A. [Auteur]
Vukusic, J. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Emadi, T.A. [Auteur]
Ingvarson, M. [Auteur]
Stake, J. [Auteur]
Lippens, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Electronics Letters
Pagination :
131-132
Éditeur :
IET
Date de publication :
2005-02
ISSN :
0013-5194
Mot(s)-clé(s) en anglais :
gallium arsenide
semiconductor epitaxial layers
microstrip circuits
varactors
indium compounds
millimetre wave diodes
III-V semiconductors
frequency multipliers
aluminium compounds
semiconductor epitaxial layers
microstrip circuits
varactors
indium compounds
millimetre wave diodes
III-V semiconductors
frequency multipliers
aluminium compounds
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
A record conversion efficiency of 11.4% at 100 GHz using a heterostructure barrier varactor (HBV) quintupler is demonstrated. The quintupler is based on a microstrip circuit mounted in a full-height crossed-waveguide block. ...
Lire la suite >A record conversion efficiency of 11.4% at 100 GHz using a heterostructure barrier varactor (HBV) quintupler is demonstrated. The quintupler is based on a microstrip circuit mounted in a full-height crossed-waveguide block. The nonlinear element consists of a planar HBV diode fabricated in InGaAs/InAlAs/AlAs epitaxial layers on an InP substrate.Lire moins >
Lire la suite >A record conversion efficiency of 11.4% at 100 GHz using a heterostructure barrier varactor (HBV) quintupler is demonstrated. The quintupler is based on a microstrip circuit mounted in a full-height crossed-waveguide block. The nonlinear element consists of a planar HBV diode fabricated in InGaAs/InAlAs/AlAs epitaxial layers on an InP substrate.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :