Study of field plate AlGaN/GaN HEMTs by ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Study of field plate AlGaN/GaN HEMTs by means of a 2D-hydrodynamic model for power applications
Auteur(s) :
Benbakhti, Brahim [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
European Microwave Integrated Circuits Conference
Ville :
Manchester
Pays :
Royaume-Uni
Date de début de la manifestation scientifique :
2006-09-10
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 2006 1st European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2006
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2006
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Aluminum gallium nitride
Gallium nitride
HEMTs
MODFETs
Poisson equations
Hydrodynamics
Topology
Microwave devices
Frequency
Microwave transistors
Gallium nitride
HEMTs
MODFETs
Poisson equations
Hydrodynamics
Topology
Microwave devices
Frequency
Microwave transistors
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
Field plate AlGaN/GaN HEMT (high electron mobility transistor) structures, are very promising to improve the microwave power performance. This device permits to improve the breakdown voltage but the field plate (FP) electrode ...
Lire la suite >Field plate AlGaN/GaN HEMT (high electron mobility transistor) structures, are very promising to improve the microwave power performance. This device permits to improve the breakdown voltage but the field plate (FP) electrode involves an increase of the parasitic capacitances and consequently a drop of the current gain transition frequency. So a compromise must be found depending on the operating frequency. In this paper, a theoretical 2D-hydrodynamic model is developed to study the impact of the FP on the device performanceLire moins >
Lire la suite >Field plate AlGaN/GaN HEMT (high electron mobility transistor) structures, are very promising to improve the microwave power performance. This device permits to improve the breakdown voltage but the field plate (FP) electrode involves an increase of the parasitic capacitances and consequently a drop of the current gain transition frequency. So a compromise must be found depending on the operating frequency. In this paper, a theoretical 2D-hydrodynamic model is developed to study the impact of the FP on the device performanceLire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :