HEMT structures and technology on GaAs and ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
HEMT structures and technology on GaAs and InP for power amplification in millimeter wave range
Auteur(s) :
Théron, Didier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Bollaert, Sylvain [Auteur] refId
Zaknoune, Mohammed [Auteur] refId
Bonte, B. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Rousseau, Michel [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur] refId
Fauquembergue, R. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur] refId
Date de début de la manifestation scientifique :
2001
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 9th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2001
Éditeur :
European Microwave Association, UK
Date de publication :
2001
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL