70nm gate InP-based HEMTs with high ft and fmax
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
70nm gate InP-based HEMTs with high ft and fmax
Auteur(s) :
Parenty, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
11th European Heterostructure Technology Workshop, HETECH 01
Ville :
Padova
Pays :
Italie
Date de début de la manifestation scientifique :
2001
Date de publication :
2001
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :