Titre :

0.06µm gate length metamorphic InAlAS/InGaAs HEMTs on GaAs with ft and fmax

Auteur(s) :

Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Y. [Auteur]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Parenty, T. [Auteur]
Happy, Henri [Auteur]
lepilliet, sl [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]

Date de début de la manifestation scientifique :

2001

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of the 13th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2001

Éditeur :

IEEE, Piscataway, NJ, USA

Date de publication :

2001

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

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