AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
AlInAs/GaInAs HEMTs for power amplification at 60 GHz
Author(s) :
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Ardouin, M. [Auteur]
Bonte, B. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
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Medjdoub, Farid [Auteur]
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Ardouin, M. [Auteur]
Bonte, B. [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
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De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
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Conference title :
Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2002
City :
Austin, TX
Country :
Etats-Unis d'Amérique
Start date of the conference :
2002
Publication date :
2002
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :