Monte Carlo study of the breakdown of an ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Monte Carlo study of the breakdown of an AlInAs/GaInAs HEMT on InP with an InP etch stop layer
Author(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
dessenne, François [Auteur]
Fauquembergue, R. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
dessenne, François [Auteur]
Fauquembergue, R. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Start date of the conference :
2002
Book title :
Proceedings of the 10th IEEE International Symposium on Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, EDMO 2002
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2002
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :