Réalisation de transistors à effet de champ ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Réalisation de transistors à effet de champ à base de GaN pour l'amplification de puissance en gamme d'ondes millimétriques et à haute température
Auteur(s) :
Guhel, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2002
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :