Finite element analysis of stress evolution ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Finite element analysis of stress evolution in Si based front and back ends micro structures
Auteur(s) :
Senez, V. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Armigliato, A. [Auteur]
Carlotti, G. [Auteur]
Carnevale, G. [Auteur]
Jaouen, H. [Auteur]
de Wolff, I. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Armigliato, A. [Auteur]
Carlotti, G. [Auteur]
Carnevale, G. [Auteur]
Jaouen, H. [Auteur]
de Wolff, I. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD 2002
Ville :
Kobe
Pays :
Japon
Date de début de la manifestation scientifique :
2002
Date de publication :
2002
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :