Titre :

Ineslastic electron tunnelling spectroscopy : capabilities and limitations in metal-oxide-semiconductor devices

Auteur(s) :

Salace, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Petit, C. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]

Titre de la revue :

Journal of Applied Physics

Pagination :

5896-5901

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

2002

ISSN :

0021-8979

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL