Some key features of the Ga1-xInxAs surface ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Some key features of the Ga1-xInxAs surface reactivity to phosphorus
Auteur(s) :
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Priester, C. [Auteur]
Deresmes, D. [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2002
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 2002 International Conference on Molecular Beam Epitaxy, MBE-XII
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2002
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL