Numerical and experimental study of a 0,25 ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Numerical and experimental study of a 0,25 µm fully-depleted silicon on insulator MOSFET : static and dynamic RF behaviour
Auteur(s) :
Rengel, R. [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Pardo, D. [Auteur]
Gonzales, T. [Auteur]
Martin, M.J. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Pardo, D. [Auteur]
Gonzales, T. [Auteur]
Martin, M.J. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Danneville, François [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Titre de la revue :
Semiconductor Science and Technology
Pagination :
1149-1156
Éditeur :
IOP Publishing
Date de publication :
2002
ISSN :
0268-1242
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :