Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power and high frequency

Type de document :

Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes

Titre :

Auteur(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

Workshop on Compound Semiconductor Materials and Devices, WOCSEMMAD 2003

Ville :

Atlanta, GA

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

2003

Date de publication :

2003

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

Source :

Sub 0.1 µm – InP based HEMTs for high power ... BibTeX CSV Excel RIS