Modeling and experimental validation of ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Modeling and experimental validation of silicon nanotip oxidation : towards a nanoelectromechanical filter application
Auteur(s) :
Agache, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bigotte, Patrice [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Legrand, Bernard [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
SENEZ, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Buchaillot, Lionel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Collard, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Bigotte, Patrice [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Legrand, Bernard [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
SENEZ, Vincent [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Buchaillot, Lionel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Collard, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
12th International Conference on Solid-State Sensors
Ville :
Boston
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2003-06-08
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 12th International Conference on Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems, TRANSDUCERS'03
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2003
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Silicon
Oxidation
Filters
Nanoscale devices
Shape
Solid modeling
Geometry
Frequency
Atomic force microscopy
Semiconductor device modeling
Oxidation
Filters
Nanoscale devices
Shape
Solid modeling
Geometry
Frequency
Atomic force microscopy
Semiconductor device modeling
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
This study aims at modeling the thermal oxidation of silicon pedestals leading to the formation of sharp silicon tips. The model is used to determine optimum process parameters taking into account the initial shape of the ...
Lire la suite >This study aims at modeling the thermal oxidation of silicon pedestals leading to the formation of sharp silicon tips. The model is used to determine optimum process parameters taking into account the initial shape of the silicon pedestal shapes, and the geometry of the desired tip. Experimental validation has been performed for several initial silicon pedestal shapes at 1000/spl deg/C and 1100/spl deg/C under dry oxidation conditions, leading to formation of sharp silicon tips. The motivation of this study aims at designing and fabricating a nanoelectromechanical filter device. Its vibrating part consists in a silicon nanotip, covered with a thin gold layer, the geometrical features of which affect the center frequency of the nanofilter device.Lire moins >
Lire la suite >This study aims at modeling the thermal oxidation of silicon pedestals leading to the formation of sharp silicon tips. The model is used to determine optimum process parameters taking into account the initial shape of the silicon pedestal shapes, and the geometry of the desired tip. Experimental validation has been performed for several initial silicon pedestal shapes at 1000/spl deg/C and 1100/spl deg/C under dry oxidation conditions, leading to formation of sharp silicon tips. The motivation of this study aims at designing and fabricating a nanoelectromechanical filter device. Its vibrating part consists in a silicon nanotip, covered with a thin gold layer, the geometrical features of which affect the center frequency of the nanofilter device.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :