Inelastic electron tunneling spectroscopy ...

Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Inelastic electron tunneling spectroscopy in n-MOS junctions with ultra-thin oxides
Author(s) :
Petit, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salace, G. [Auteur]
Vuillaume, D. [Auteur]
Journal title :
Solid-State Electronics
Pages :
1663-1668
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2003
ISSN :
0038-1101
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL