Physical analysis of the breakdown phenomenon ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Physical analysis of the breakdown phenomenon between single or double step gate recess HEMTs
Author(s) :
Elkhou, M. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Gerard, H. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rousseau, Michel [Auteur]
Gerard, H. [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Start date of the conference :
2004
Book title :
Proceedings of the 12th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2004
Publisher :
Horizon House Publications Ltd, London. UK
Publication date :
2004
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :