Influence of passivation on high-power ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
Influence of passivation on high-power AlGaN/GaN HEMT devices at 10 GHz
Author(s) :
Ducatteau, D. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, M. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Martin, T. [Auteur]
Delos, E. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Caillas, N. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, M. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
Martin, T. [Auteur]
Delos, E. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Caillas, N. [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Start date of the conference :
2004
Book title :
Proceedings of the 12th European Gallium Arsenide and Other Semiconductor Application Symposium, GAAS 2004
Publisher :
Horizon House Publications Ltd, London. UK
Publication date :
2004
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :