Technologie des composants de type HEMTs ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Technologie des composants de type HEMTs AlGaN/GaN sur substrat silicium pour des applications de puissance et faible bruit
Auteur(s) :
Minko, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2004
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :