AlGaN/GaN HEMTs on Si with power density ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
AlGaN/GaN HEMTs on Si with power density performance of 1.9 W/mm at 10 GHz
Author(s) :
Minko, A. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Soltani, Ali [Auteur]
Delos, E. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Wedzikowski, L. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Morvan, E. [Auteur]
Grimbert, B. [Auteur]
Soltani, Ali [Auteur]
Delos, E. [Auteur]
Ducatteau, D. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Théron, Didier [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Lahreche, H. [Auteur]
Wedzikowski, L. [Auteur]
Langer, R. [Auteur]
Bove, P. [Auteur]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Pages :
453-455
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2004
ISSN :
0741-3106
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :