Ideal subthreshold characteristics of ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Ideal subthreshold characteristics of thin-film SOI p-MOSFETs with Schottky source/drain and a midgap tungsten gate
Auteur(s) :
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Titre de la revue :
IEE Proceedings Microwaves Antennas and Propagation
Pagination :
801-803
Éditeur :
Institution of Engineering and Technology
Date de publication :
2004
ISSN :
1350-2417
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :