Measurement of low Schottky barrier heights ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Measurement of low Schottky barrier heights applied to metallic source/drain metal–oxide–semiconductor field effect transistors (MOSFETs)
Author(s) :
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Larrieu, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Larrieu, G. [Auteur]
Journal title :
Journal of Applied Physics
Pages :
729-737
Publisher :
American Institute of Physics
Publication date :
2004
ISSN :
0021-8979
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :
Files
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