Characterization of As-P interface-sensitive ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Characterization of As-P interface-sensitive GaInP/GaAs structures grown in a production MBE system
Auteur(s) :
Dhellemmes, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Godey, Sylvie [Auteur]
Wilk, A. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Godey, Sylvie [Auteur]
Wilk, A. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Mollot, F. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 16th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2004
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :