High current drive in ultra-short impact ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
High current drive in ultra-short impact ionization MOS (I-MOS) devices
Author(s) :
Charbuillet, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Monfray, S. [Auteur]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur] refId
Bouillon, P. [Auteur]
Skotnicki, T. [Auteur]
Start date of the conference :
2006
Book title :
International Electron Device Meeting Technical Digest, IEDM 2006
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2006
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL