Fabrication and analysis of CMOS ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Fabrication and analysis of CMOS fully-compatible high conductance impact-ionization MOS (I-MOS) transistors
Auteur(s) :
Charbuillet, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Monfray, S. [Auteur]
Bouillon, P. [Auteur]
Skotnicki, T. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUBOIS, Emmanuel [Auteur]
Monfray, S. [Auteur]
Bouillon, P. [Auteur]
Skotnicki, T. [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2006
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 36th European Solid-State Device Research Conference, ESSDERC 2006
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2006
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :