Title :

TEM study of PtSi contact layers for accumulated low Schottky barrier MOSFET

Author(s) :

Łaszcz, A. [Auteur]
Katcki, J. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Czerwinski, A. [Auteur]
Breil, N. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Larrieu, G. [Auteur]

Start date of the conference :

2006

Book title :

Proceedings of the 2006 European Material Research Society Spring Meeting, E-MRS - IUMRS - ICEM 06, Si-based Materials for Advanced Microelectronic Devices : Synthesis, Defects and Diffusion

Publisher :

European Material Research Society, Strasbourg, France

Publication date :

2006

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL