Croissance métamorphique par épitaxie par ...
Type de document :
Partie d'ouvrage
Titre :
Croissance métamorphique par épitaxie par jets moléculaires et caractérisations physiques pour transistor bipolaire à hétérojonction InP/InGaAs sur GaAs
Auteur(s) :
Lefebvre, E. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Date de publication :
2005
Langue :
Français
Audience :
Non spécifiée
Source :