TEM characterisation of accumulation low ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
TEM characterisation of accumulation low Schottky barrier MOSFET with PtSi contacts
Auteur(s) :
Laszcz, A. [Auteur]
Katcki, J. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Czerwinski, A. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Larrieu, G. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Katcki, J. [Auteur]
Ratajczak, J. [Auteur]
Czerwinski, A. [Auteur]
Dubois, Emmanuel [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Larrieu, G. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :
School on Materials Science and Electron Microscopy, Microscopy of Tomorrow's Industrial Materials
Ville :
Berlin
Pays :
Allemagne
Date de début de la manifestation scientifique :
2005
Date de publication :
2005
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :