Noise modeling in fully depleted SOI MOSFETs
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Noise modeling in fully depleted SOI MOSFETs
Auteur(s) :
Pailloncy, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Iniguez, B. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Iniguez, B. [Auteur]
Dambrine, Gilles [Auteur]
Raskin, J.P. [Auteur]
Danneville, François [Auteur]
Titre de la revue :
Solid-State Electronics
Pagination :
813-825
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2004
ISSN :
0038-1101
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :