InAlAs/InGaAs double gate HEMTS with high ...
Document type :
Communication dans un congrès avec actes
Title :
InAlAs/InGaAs double gate HEMTS with high extrinsic transconductance
Author(s) :
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Duszynski, I. [Auteur]
Parenty, T. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Duszynski, I. [Auteur]
Parenty, T. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Start date of the conference :
2004
Book title :
Proceedings of the 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 16th IPRM-IEEE
Publisher :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Publication date :
2004
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :