InAlAs/InGaAs double gate HEMTS with high ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
InAlAs/InGaAs double gate HEMTS with high extrinsic transconductance
Auteur(s) :
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Duszynski, I. [Auteur]
Parenty, T. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Duszynski, I. [Auteur]
Parenty, T. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Mateos, J. [Auteur]
Wallart, Xavier [Auteur]
Cappy, Alain [Auteur]
Date de début de la manifestation scientifique :
2004
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of the 2004 International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 16th IPRM-IEEE
Éditeur :
IEEE, Piscataway, NJ, USA
Date de publication :
2004
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :