Enhancement of cutoff frequency in AlGaN/GaN ...
Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Enhancement of cutoff frequency in AlGaN/GaN high electron mobility transistors using a silicon nitride based T-gate technology
Author(s) :
Touati, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Soltani, Ali [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Soltani, Ali [Auteur]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Conference title :
Proceedings of the 16th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes and Nitrides, Diamond 2005
City :
Toulouse
Country :
France
Start date of the conference :
2005
Publication date :
2005
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Source :