The effect of LaNiO3 bottom electrode ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
The effect of LaNiO3 bottom electrode thickness on ferroelectric and dielectric properties of (100) oriented PbZr0.53Ti0.47O3 films
Auteur(s) :
Wang, G.S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Shanghai Institute of Technical Physics [SITP]
Remiens, Denis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Soyer, Caroline [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Cattan, Eric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Shanghai Institute of Technical Physics [SITP]
Remiens, Denis [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Soyer, Caroline [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Cattan, Eric [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Titre de la revue :
Journal of Crystal Growth
Pagination :
184-189
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2005
ISSN :
0022-0248
Mot(s)-clé(s) en anglais :
X-ray diffraction
Perovskite
Ferroelectric materials
Perovskite
Ferroelectric materials
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
The (1 0 0) oriented LaNiO3 (LNO) films with different thickness were prepared on SiO2/Si substrate by a modified metallorganic decomposition process. PbZr0.53Ti0.47O3 (PZT) films (∼1 μm) subsequently deposited on LNO by ...
Lire la suite >The (1 0 0) oriented LaNiO3 (LNO) films with different thickness were prepared on SiO2/Si substrate by a modified metallorganic decomposition process. PbZr0.53Ti0.47O3 (PZT) films (∼1 μm) subsequently deposited on LNO by modified sol–gel process. The X-ray diffraction measurements show PZT films exhibit a single perovskite phase with (1 0 0) preferred orientation. α1 0 0>94% can be obtained for PZT deposited on LNO bottom electrode with thickness greater than 60 nm. SEM measurements show the PZT films have a columnar structure. The LNO thickness effect on Pr, Ec, and dielectric constant were investigated and showed that the thickness of the LNO bottom electrode caused drastic changes in Pr, dielectric constant and dielectric loss. Sub-switching fields dependence of permittivity were investigated for PZT films and showed that both reverible and irreversible component of the permittivity increase with the thickness of LNO electrode.Lire moins >
Lire la suite >The (1 0 0) oriented LaNiO3 (LNO) films with different thickness were prepared on SiO2/Si substrate by a modified metallorganic decomposition process. PbZr0.53Ti0.47O3 (PZT) films (∼1 μm) subsequently deposited on LNO by modified sol–gel process. The X-ray diffraction measurements show PZT films exhibit a single perovskite phase with (1 0 0) preferred orientation. α1 0 0>94% can be obtained for PZT deposited on LNO bottom electrode with thickness greater than 60 nm. SEM measurements show the PZT films have a columnar structure. The LNO thickness effect on Pr, Ec, and dielectric constant were investigated and showed that the thickness of the LNO bottom electrode caused drastic changes in Pr, dielectric constant and dielectric loss. Sub-switching fields dependence of permittivity were investigated for PZT films and showed that both reverible and irreversible component of the permittivity increase with the thickness of LNO electrode.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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