Traps centers and deep defects contribution ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Traps centers and deep defects contribution in current instabilities for AlGaN/GaN HEMT's on silicon and sapphire substrates
Author(s) :
Sghaier, N. [Auteur]
Trabelsi, M. [Auteur]
Yacoubi, N. [Auteur]
Bluet, J.M. [Auteur]
Souifi, A. [Auteur]
Guillot, G. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Trabelsi, M. [Auteur]
Yacoubi, N. [Auteur]
Bluet, J.M. [Auteur]
Souifi, A. [Auteur]
Guillot, G. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Journal title :
Microelectronics Journal
Pages :
363-370
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2006
ISSN :
0026-2692
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :