Point-defect recombination efficiency at ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Title :
Point-defect recombination efficiency at grain boundaries in irradiated SiC
Author(s) :
Moriani, A. [Auteur]
Cleri, Fabrizio [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cleri, Fabrizio [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Pages :
214113-1-9
Publisher :
American Physical Society
Publication date :
2006
ISSN :
1098-0121
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :