Point-defect recombination efficiency at ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Point-defect recombination efficiency at grain boundaries in irradiated SiC
Auteur(s) :
Moriani, A. [Auteur]
Cleri, Fabrizio [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cleri, Fabrizio [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Physical Review B: Condensed Matter and Materials Physics (1998-2015)
Pagination :
214113-1-9
Éditeur :
American Physical Society
Date de publication :
2006
ISSN :
1098-0121
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :